半導體（FAB）潔凈室中相對濕度的目標值大約控制在30至50%的范圍內，允許誤差在±1%的狹窄的范圍內，例如光刻區──或者在遠紫外線處理（DUV）區甚至更小──而在其他地方則可以放松到±5%的范圍內。半導體無塵車間
因為相對濕度有一系列可能使潔凈室總體表現下降的因素，其中包括：
1.細菌生長；
2.工作人員感到室溫舒適的范圍；
3.出現靜電荷；
4.金屬腐蝕；
5.水汽冷凝；
6.光刻的退化；
7.吸水性。
細菌和其他生物污染（霉菌，病毒，真菌，螨蟲）在相對濕度超過60%的環境中可以活躍地繁殖。一些菌群在相對濕度超過30%時就可以增長。合景凈化工程公司認為，應將濕度控制在處于40%至60%的范圍之間時，可以使細菌的影響以及呼吸道感染降至最低。
相對濕度在40%至60%的范圍同樣也是人類感覺舒適的適度范圍。濕度過高會使人覺得氣悶，而濕度低于30%則會讓人感覺干燥，皮膚皸裂，呼吸道不適以及情感上的不快。半導體無塵車間
高濕度實際上減小了潔凈室表面的靜電荷積累──這是人們希望的結果。較低的濕度比較適合電荷的積累并成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。當相對濕度超過50%時，靜電荷開始迅速消散，但是當相對濕度小于30%時，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續存在很長一段時間。半導體無塵車間
相對濕度在35%到40%之間可以作為一個令人滿意的折中，半導體潔凈室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。
很多化學反應的速度，包括腐蝕過程，將隨著相對濕度的增高而加快。所有暴露在潔凈室周圍空氣中的表面都很快地被覆蓋上至少一層單分子層的水。當這些表面是由可以與水反應的薄金屬涂層組成時，高濕度可以使反應加速。幸運的是，一些金屬，例如鋁，可以與水形成一層保護型的氧化物，并阻止進一步的氧化反應；但另一種情況是，例如氧化銅，是不具有保護能力的，因此，在高濕度的環境中，銅制表面更容易受到腐蝕。半導體無塵車間
此外，在高的相對濕度環境下，由于水分的吸收，使烘烤循環后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對濕度的負面影響；較低的相對濕度（約30%）使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑。
在半導體潔凈室中控制相對濕度不是隨意的。但是，隨著時間的變化，最好回顧一下常見的被普遍接受的實踐的原因和基礎。
潔凈室行業壁壘高,下游客戶要求極其嚴格。IC 半導體、光電類產品制造商一次性建廠投資較高,其生產條件要求非常嚴格,任何一個小瑕疵會影響芯片和面板的良率,對潔凈室的穩定性要求非常高。廣州科凌凈化工程有限公司在光學電子潔凈廠房建設行業已有20余年，業務覆蓋全國，在光電行業潔凈工程建設有較大的品牌影響力，先后服務了多家百強企業，如：卡爾蔡司、中國電子CEC、華星光電、比亞迪、易事特、大族激光、美拜電子、光韻達、振華電子等企業，并獲得諸多優質工程榮譽。如想了解更多，敬請關注和聯系我們。半導體無塵車間
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